化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法

Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, and chemical mechanical polishing method

Abstract

【課題】半導体装置製造工程において、アルミニウム膜およびその合金膜に対する高研磨速度とディッシング発生の抑制とを両立できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、半導体装置の製造工程におけるアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を研磨する用途に用いられる化学機械研磨用水系分散体であって、(A)砥粒;0.1質量%以上10質量%以下と、(B)炭素数6以上の有機基を有するリン酸エステル化合物;1質量%以下と、を含有することを特徴とする。【選択図】なし
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing capable of achieving both high-polishing speed and suppression of dishing to an aluminum film and its alloy film in a step of manufacturing a semiconductor device, and provide a chemical mechanical polishing method using the same.SOLUTION: The aqueous dispersion for chemical mechanical polishing is an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for polishing an aluminum film or an aluminum alloy film in a step of manufacturing a semiconductor device, and contains (A) 0.1 mass% or more and 10 mass% or less of abrasive grains, and (B) 1 mass% or less of a phosphoric ester compound having an organic group with 6 or more carbon atoms.
【課題】半導体装置製造工程において、アルミニウム膜およびその合金膜に対する高研磨速度とディッシング発生の抑制とを両立できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、半導体装置の製造工程におけるアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を研磨する用途に用いられる化学機械研磨用水系分散体であって、(A)砥粒;0.1質量%以上10質量%以下と、(B)炭素数6以上の有機基を有するリン酸エステル化合物;1質量%以下と、を含有することを特徴とする。 【選択図】なし

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    WO-2017169743-A1October 05, 2017株式会社フジミインコーポレーテッドComposition de polissage utilisée pour le polissage d'un objet de polissage ayant une couche qui contient du métal