Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

半導体装置および半導体装置の製造方法

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve characteristics of a semiconductor device having a magnetic memory element.SOLUTION: A magnetic memory element comprises: a lamination part L1 of a domain wall displacement layer WDL and a cap layer CL on the domain wall displacement layer WDL; and a lamination part L2 which is arranged on the lamination part L1 in a central part and in which a magnetization reversal layer MRL, a tunnel barrier layer TBL and a magnetization fixed layer MFL are sequentially laminated from the bottom. With this configuration, a ferromagnetic film which can ensure a large MR ratio can be selected as the magnetization reversal layer, thereby increasing a sensing margin at the time of reading. In addition, a ferromagnetic film which requires a small writing current can be selected as the domain wall displacement layer WDL, thereby achieving reduction in writing current. In this way, characteristics of the magnetic memory element can be improved.
【課題】磁気メモリ素子を有する半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】磁気メモリ素子MMを、磁壁移動層WDLとその上のキャップ層CLとの積層部L1と、この積層部L1の中央部の上に配置され、磁化反転層MRL、トンネルバリア層TBL、磁化固定層MFLが、下から順に積層された積層部L2とを有するように構成する。このような構成によれば、磁化反転層MRLとして、MR比を大きく確保できる強磁性膜を選択することができ、読み出し時のセンシングマージンを大きくできる。また、磁壁移動層WDLとして、書き込み電流が小さい強磁性膜を選択することができ、書き込み電流の低減化を図ることができる。このように、磁気メモリ素子の特性を向上させることができる。【選択図】図1
【課題】磁気メモリ素子を有する半導体装置の特性を向上させる。 【解決手段】磁気メモリ素子MMを、磁壁移動層WDLとその上のキャップ層CLとの積層部L1と、この積層部L1の中央部の上に配置され、磁化反転層MRL、トンネルバリア層TBL、磁化固定層MFLが、下から順に積層された積層部L2とを有するように構成する。このような構成によれば、磁化反転層MRLとして、MR比を大きく確保できる強磁性膜を選択することができ、読み出し時のセンシングマージンを大きくできる。また、磁壁移動層WDLとして、書き込み電流が小さい強磁性膜を選択することができ、書き込み電流の低減化を図ることができる。このように、磁気メモリ素子の特性を向上させることができる。 【選択図】図1

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